晶體缺陷的主要類型
來源:濟南聯(lián)飛數(shù)控裝備有限公司 日期:2024-04-12 08:37:00 點擊量:
晶體結(jié)構(gòu)中質(zhì)點排列的某種不規(guī)則性或不完善性。又稱晶格缺陷。表現(xiàn)為晶體結(jié)構(gòu)中局部范圍內(nèi),質(zhì)點的排布偏離周期性重復的空間格子規(guī)律而出現(xiàn)錯亂的現(xiàn)象。根據(jù)錯亂排列的展布范圍,分為下列3種主要類型。
(1)點缺陷,只涉及到大約一個原子大小范圍的晶格缺陷。它包括:晶格位置上缺失正常應有的質(zhì)點而造成的空位;由于額外的質(zhì)點充填晶格空隙而產(chǎn)生的填隙;由雜質(zhì)成分的質(zhì)點替代了晶格中固有成分質(zhì)點的位置而引起的替位等
(2)線缺陷一位錯位錯的概念1934年由泰勒提出到1950年才被實驗所實具有位錯的晶體結(jié)構(gòu),可看成是局部晶格沿一定的原子面發(fā)生晶格的滑移的產(chǎn)物?;撇回灤┱麄€晶格,晶體缺陷到晶格內(nèi)部即終止,在已滑移部分和未滑移部分晶格的分界處造成質(zhì)點的錯亂排列,即位錯。這個分界外,即已滑移區(qū)和未滑移區(qū)的交線,稱為位錯線。
(3)面缺陷,是沿著晶格內(nèi)或晶粒間的某個面兩側(cè)大約幾個原子間距范圍內(nèi)出現(xiàn)的晶格缺陷。主要包括堆垛層錯以及晶體內(nèi)和晶體間的各種界面,如小角晶界、疇界壁、雙晶界面及晶粒間界等。
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